Japonya'da 600°C'de özelliklerini koruyan bir SiC transistör geliştirildi.

Kyoto Üniversitesi'ndeki araştırmacılar, 600°C'ye kadar sıcaklıklarda çalışabilen bir silisyum karbür (SiC) transistörünün geliştirildiğini duyurdu. Cihaz, modern yarı iletken üretiminde kullanılan bir katkılama tekniği olan iyon implantasyonu kullanılarak üretildi.

Çalışmanın en önemli başarısı, transistörün aşırı sıcaklıklarda çalışma doğruluğunu iyileştirmek oldu. 400°C'de, hesaplanan ve gerçek eşik gerilimi arasındaki fark 0,1 V'tan az olurken, geleneksel tasarımlı transistörlerde bu fark 2 V'u aşıyordu.

Buna karşılık, geleneksel silikon bileşenler yaklaşık 250°C'de işlevselliğini kaybeder. NASA daha önce 500°C'de çalışabilen SiC entegre devrelerini göstermişti, ancak bunların üretimi özel bir üretim süreci gerektiriyordu. Japon bilim insanları benzer sonuçlar elde etti, ancak seri üretimi daha kolay olan daha yaygın iyon implantasyon teknolojisini kullandılar.

Teknolojinin ticari kullanımı şu anda mümkün değil. Yeni geliştirilen transistör normalde açık (normally-on) tipte olup bekleme modunda bile güç tüketmektedir. Bir sonraki adım normalde kapalı (normally-off) versiyonların geliştirilmesidir ve ancak o zaman enerji verimli tamamlayıcı devreler oluşturmak mümkün olacaktır. Isıya dayanıklı transistörlere dayalı çipler, örneğin araştırma sondalarında veya jet motorlarındaki iç süreçleri izleyen sensörler olarak havacılıkta potansiyel olarak uygulama alanı bulabilir.

Kaynak: tomshardware.com